Ramamoorthy Ramesh

Ramamoorthy Ramesh (* 1960 in Chennai, früher Madras) ist ein Physiker indischer Herkunft an der University of California, Berkeley.

Ramesh erwarb 1980 an der University of Madras einen Bachelor in Chemie und 1983 am Indian Institute of Science einen Bachelor in Metallurgie. Einen Master und einen Ph.D. (1987) in Materialwissenschaften erwarb er an der University of California, Berkeley und dem Lawrence Berkeley National Laboratory. Am Lawrence Berkeley Laboratory arbeitete er auch als Postdoktorand, bevor er 1989 zu Bell Communications Research ''(Bellcore)'' in die Industrie wechselte.

1995 erhielt Ramesh eine erste Professur ''(Associate Professor'') an der University of Maryland, College Park, 1999 ebendort eine ordentliche Professur. Seit 2004 ist er Professor an der University of California, Berkeley.

Ramesh beschäftigt sich mit der Elektronik von Oxiden, insbesondere dauerhaften ferro-elektrischen Speichern (Ferroelectric Random Access Memory), und mit den elektrischen und magnetischen Eigenschaften dünner hochqualitativer Filme epitaktischer Bismut-Ferrite. 2003 konnten er und seine Arbeitsgruppe an der University of Maryland, College Park zeigen, dass multiferroische BiFeO₃-Filme eine ausgedehnte ferroelektrische Polarisation aufweisen. Außerdem besteht eine elektromagnetische Beeinflussung von ferromagnetischen und antiferromagentischen Eigenschaften. Die Entdeckung stellte einen wichtigen Schritt bei der Entwicklung moderner Speichermedien wie Flash-Speicher oder Solid-State-Drive...