Neuartige Ausheilverfahren in der SOI-CMOSFET-Technologie

Thermische Ausheilprozesse werden bei der Transistorformation im Wesentlichen eingesetzt, um die durch die Ionenimplantation entstandenen Kristallschäden auszuheilen und die eingebrachten Dotanden zu aktivieren. Besonders kritisch sind dabei die finalen Aktivierungsprozesse, bei denen die... Ausführliche Beschreibung

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Format: Elektronische Hochschulschrift
veröffentlicht: Dresden : Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2011.
Schlagworte:
SOI
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RVK-Notation: ZN 4156 Schichtstrukturierung
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