Ultraschnelle optoelektronische und Materialeigenschaften von Stickstoff-haltigem GaAs

This work summarizes properties of nitrogen containing GaAs, which are relevant for optoelectronic application and allow a deeper insight in the physics of this material. In the first part the dependence of the banggap energy of nitrogen implanted GaAs on several process parameters (implanted... Ausführliche Beschreibung

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Format: Elektronische Hochschulschrift
veröffentlicht: Dresden Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden 2006
Schlagworte:
ion
RVK-Notation: VE 9587 Dissertationen, Habilitationsschriften, wertvollere und umfangreichere Sonderdrucke
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