ZnO-based metal-semiconductor field-effect transistors
Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Entwicklung, Herstellung und Untersuchung von ZnO-basierten Feldeffekttransistoren (FET). Dabei werden im ersten Teil Eigenschaften von ein- und mehrschichtigen Isolatoren mit hohen Dielektrizitätskonstanten betrachtet, die mittels gepulster... Ausführliche Beschreibung
1. Verfasser: | Heiko Frenzel [author] |
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Weitere Verfasser: | Marius Grundmann [advisor] ; Thomas Riedl [referee] |
Format: | Elektronische Hochschulschrift |
veröffentlicht: |
Leipzig : Universitätsbibliothek Leipzig, 2010. |
Schlagworte: |