ZnO-basierte Metall-Isolator-Halbleiter Feldeffekttransistoren mit Wolframoxid als Gatedielektrikum

Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurden Zinkoxid (ZnO)-basierte Metal-Isolator-Halbleiter Feldeffekttransistoren (MISFETs) mit Wolframtrioxid als transparentes Dielektrikum untersucht. Im ersten Teil werden die morphologischen, optischen, elektrischen und chemischen Eigenschaften der mittels... Ausführliche Beschreibung

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Format: Elektronische Hochschulschrift
veröffentlicht: Leipzig : Universitätsbibliothek Leipzig, 2013.
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