Dünne tantalbasierte Diffusionsbarrieren für die Kupfer-Leitbahntechnologie: Thermische Stabilität, Ausfallmechanismen und Einfluss auf die Mikrostruktur des Metallisierungsmaterials

Aufgrund der höheren elektrischen Leitfähigkeit und des größeren Widerstandes gegen Elektromigration im Vergleich zum Aluminium wird seit einigen Jahren Kupfer als Leitbahnmaterial in der Mikroelektronik eingesetzt. Da Kupfer jedoch eine hohe Beweglichkeit in den für die... Ausführliche Beschreibung

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Format: Elektronische Hochschulschrift
veröffentlicht: Dresden : Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2004.
Schlagworte:
RVK-Notation: UP 7990 Sonstiges zur Physik dünner Filme und Grenzflächen, z.B. Adhäsion, Diffusion
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