Transparent rectifying contacts on wide-band gap oxide semiconductors

Die vorliegenden Arbeit befasst sich mit der Herstellung und Charakterisierung von transparenten Metall-Halbleiter- Feldeffekttransistoren. Dazu werden im ersten Kapitel transparente gleichrichtende Kontakte, basierend auf dem Konzept von Metalloxidkontakten, hergestellt und im Hinblick auf... Ausführliche Beschreibung

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Format: Elektronische Hochschulschrift
veröffentlicht: Leipzig : Universitätsbibliothek Leipzig, 2013.
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