Ferromagnetismus in mit Fe implantierten GaN und TiO2

In the present study it was tried to create a diluted magnetic semiconductor on the basis of GaN and TiO2 by means of ion beam implantation. In most cases, by characterization of structural and magnetic properties, it was possible to prove that the ferromagnetic state is related to either... Ausführliche Beschreibung

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Weitere Verfasser: [advisor] ; [referee]
Format: Elektronische Hochschulschrift
veröffentlicht: Dresden : Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2010.
Schlagworte:
RVK-Notation: UP 6300 Ferro-, Ferri- Antiferromagnetismus
UP 2800 Allgemeines
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