High Precision Stress Measurements in Semiconductor Structures by Raman Microscopy

Stress in silicon structures plays an essential role in modern semiconductor technology. This stress has to be measured and due to the ongoing miniaturization in today’s semiconductor industry, the measuring method has to meet certain requirements. The present thesis deals with the question how... Ausführliche Beschreibung

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Weitere Verfasser: [advisor] ; [referee]
Format: E-Book
veröffentlicht: Dresden: Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2010
Schlagworte:
RVK-Notation: UM 3300 Raman-Spektren, Ramanspektroskopie allgemein
UP 3150 Strukturierte Halbleiter, Mehrlagenschichten, Supergitter, Heterostrukturen und Quantentröge, Quantum wells
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