Investigation of wide-bandgap semiconductors by UV Raman spectroscopy: resonance effects and material characterization

Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Untersuchung von weitbandlückigen Halbleitern mittels Raman-Spektroskopie. Diese wurde vorwiegend unter Verwendung von Licht einer Wellenlänge von 325 nm im ultravioletten Spektralbereich angeregt. Damit konnten zum einen aufgrund eines erhöhten... Ausführliche Beschreibung

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Format: Elektronische Hochschulschrift
veröffentlicht: Leipzig : Universitätsbibliothek Leipzig, 2015.
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