Low-k SiCxNy Etch-Stop/Diffusion Barrier Films for Back-End Interconnect Applications, AMC 2015 – Advanced Metallization Conference

Lower k and low-leakage silicon carbonitride (SiCxNy ) films were fabricated using single precursor by using radio-frequency (RF) plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). We explored precursors with (1) cyclic-carbon-containing structures, (2) higher C/Si ratio, (3) multiple vinyl... Ausführliche Beschreibung

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veröffentlicht: Universitätsbibliothek Chemnitz, 2016
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